آشنایی با تیپ درایو ها

رشد انفجاری داده‌ها نیازمند راه‌حل‌های به صرفه و طولانی مدت است, که در آن Tapeها یک انتخاب مناسب هستند. امروزه دو نسخه ازlinear magnetic tape drives وجود دارد. linear tape open(LTO) که فرمت آن توسط کنسرسیوم استانداردهای باز که به اصطلاح یه آن ها درایوهای تخصصی که دارای فرمت و طراحی اختصاصی هستند اداره می‌شود ظرفیت کارتریج برای نسل هفتم ( LTO7 ) ظرفیت 6 ترابایت ( 4 گیگا بایت / in2) است, و تا همین اواخر, بزرگ‌ترین دست آورد این شرکت در ظرفیت 10 ترابایت ( 7 گیگا بایت /  in2) بوده است.

خوانش ترانسفورماتور ها در این محصولات بر اثر مقاومت عظیم مغناطیسی (GMR) هستند. Tape های مدرن از ذرات باریم فریت (BaFe) استفاده میکنند که این ذرات جهت گیری تصادفی دارند.

اطلاعات نقشه راه 10 ساله کنسرسیوم صنعت ذخیره سازی در سال 2015 بیانگر تراکم منطقه ای و همینطور افزایش ظرفیت کارتریج ها تا 30% در سال (2 الی 3 برابر میزان برای هار درایو های سخت) است.

تراشه های 1.5 پیکو متری GMR شاید خروجی کافی برای این نیاز را برطرف کنند اما هزینه های اقتصادی آن صرفه تیپ درایو ها برای استفاده را کم میکند.

تست های انجام شده در آزمایشگاه هایIBM  نشان میدهد که نسل اول تیپ های TMR بیش از سه برابر، خروجی بیشتری نسبت به تراشه های GMR داشته و نمایشگر قطعی کم سیگنال در هنگام استفاده است.

همچنین مشخص شد که استفاده از TMR ها برای تیپ درایو ها باعث بوجود آمدن ثبات ویژه الکترومغناطیسی و قابلیت عملکرد در دمای بسیار پایین تر نسبت به GMR میشود.

اولین استفاده از سنسور های TMR در تیپ درایو ها مربوط به تیپ TS1155 مربوط به شرکت IBM می باشد که دارای ظرفیت 15 ترابایت می باشد.

این مقاله با بحث درباره ساختمان سری های ضبط و سپس توضیح جنبه های فیزیکی و مغناطیسی خوانش و نوشتن ترانسفورماتور ها می پردازد.

از این داده ها میتوان چشم اندازی برای پیشرفت های آینده تیپ درایو ها نتیجه گیری کرد.